河北半导体芯片封装厂商

为了在 SiP 应用中得到一致的优异细间距印刷性能，锡膏的特性如锡粉尺寸、助焊剂系统、流变性、坍塌特性和钢网寿命都很重要，都需要被仔细考虑。合适的钢网技术、设计和厚度，配合印刷时使用好的板支撑系统对得到一致且优异的锡膏转印效率也是很关键的。回流曲线需要针对不同锡膏的特性进行合适的设计来达到空洞较小化。从目前的01005元件缩小到008004，甚至于下一代封装的0050025，锡膏的印刷性能变得非常关键。从使用 3 号粉或者 4 号粉的传统表面贴装锡膏印刷发展到更为复杂的使用 5、6 号粉甚至 7 号粉的 SiP 印刷工艺。新的工艺钢网开孔更小且钢网厚度更薄，对可接受的印刷锡膏体积的差异要求更为严格。除了必须要印刷更小和更薄的锡膏沉积，相邻焊盘的间隙也更小了。有些厂家已经开始尝试50 μm 的焊盘间隙。随着SIP封装元件数量和种类增多，在尺寸受限或不变的前提下，要求单位面积内元件密集程度必须增加。河北半导体芯片封装厂商

基板的分类：封装基板的分类有很多种，目前业界比较认可的是从增强材料和结构两方面进行分类。结构分类：刚性基板材料和柔性基板材料。增强材料分类：有有机系（树脂系）、无机系（陶瓷系、金属系）和复合系；基板的处理，基板表面处理方式主要有：热风整平、有机可焊性保护涂层、化学镍金、电镀金。化学镍金：化学镍金是采用金盐及催化剂在80~100℃的温度下通过化学反应析出金层的方法进行涂覆的，成本比电镀低，但是难以控制沉淀的金属厚度，表面硬并且平整度差，不适合作为采用引线键合工艺封装基板的表面处理方式。天津系统级封装方案不同的芯片，排列方式，与不同内部结合技术搭配，使SiP 的封装形态产生多样化的组合。

sip封装的优缺点，SIP封装的优缺点如下：优点：结构简单：SIP封装的结构相对简单，制造和组装过程相对容易。成本低：SIP封装的制造成本较低，适合大规模生产。可靠性高：SIP封装具有较好的密封性能，可以免受环境影响，提高产品的可靠性。适应性强：SIP封装适用于对性能要求不高且需要大批量生产的低成本电子产品。缺点：引脚间距限制：SIP封装的引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2至23不等，这限制了其在一些高密度、高性能应用中的使用。不适用于高速传输：由于SIP封装的引脚间距较大，不适合用于高速数据传输。散热性能差：SIP封装的散热性能较差，可能不适用于高功耗的芯片。

SIP发展趋势，多样化，复杂化，密集化，SIP集成化越来越复杂，元件种类越来越多，球间距越来越小，开始采用铜柱代替锡球。多功能化，技术前沿化，低成本化，新技术，多功能应用较前沿，工艺成熟，成板下降。工艺难点，清洗，定制清洗设备、清洗溶液要求、清洗参数验证、清洗标准制定，植球，植球设备选择、植球球径要求、球体共面性检查、BGA测试、助焊剂残留要求。SIP技术是一项先进的系统集成和封装技术，与其它封装技术相比较，SIP技术具有一系列独特的技术优势，满足了当今电子产品更轻、更小和更薄的发展需求，在微电子领域具有广阔的应用市场和发展前景。。此外，国际上至今尚没有制定出SIP技术的统一标准，在一定程度妨碍了SIP技术的推广应用。由此可见，未来SIP技术的发展还面临着一系列的问题和挑战，有待于软件、IC、封装、材料和设备等专业厂家密切合作，共同发展和提升SIP技术。SiP技术是一项先进的系统集成和封装技术，与其它封装技术相比较，SiP技术具有一系列独特的技术优势。

SMT制程在SIP工艺流程中的三部分都有应用：1st SMT PCB贴片 + 3rd SMT FPC贴镍片 + 4th SMT FPC+COB。SiP失效模式和失效机理，主要失效模式：(1) 焊接异常：IC引脚锡渣、精密电阻连锡。Ø 原因分析：底部UF (Underfill底部填充）胶填充不佳，导致锡进入IC引脚或器件焊盘间空洞造成短路。(2) 机械应力损伤：MOS芯片、电容裂纹。Ø 原因分析：(1) SiP注塑后固化过程产生的应力;（2）设备/治具产生的应力。(3) 过电应力损伤：MOS、电容等器件EOS损伤。Ø 原因分析：PCM SiP上的器件受电应力损伤（ESD、测试设备浪涌等）。SiP封装通常在一块大的基板上进行，每块基板可以制造几十到几百颗SiP成品。河北半导体芯片封装厂商

SIP发展趋势，多样化，复杂化，密集化。河北半导体芯片封装厂商

3D SIP。3D封装和2.5D封装的主要区别在于：2.5D封装是在Interposer上进行布线和打孔，而3D封装是直接在芯片上打孔和布线，电气连接上下层芯片。3D集成目前在很大程度上特指通过3D TSV的集成。物理结构：所有芯片及无源器件都位于XY平面之上且芯片相互叠合，XY平面之上设有贯穿芯片的TSV，XY平面之下设有基板布线及过孔。电气连接：芯片采用TSV与RDL直接电连接。3D集成多适用于同类型芯片堆叠，将若干同类型芯片竖直叠放，并由贯穿芯片叠放的TSV相互连接而成，见下图。类似的芯片集成多用于存储器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。河北半导体芯片封装厂商

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